厦门中芯晶研可提供2",3",4",6"碳化硅单晶片。
碳化硅晶片由纯硅和碳组成，与硅相比具有三大优势:
l 更高的临界雪崩击穿场强
l 更大的导热系数
l 更宽的禁带
碳化硅晶片具有3电子伏特(eV)的宽禁带，可以承受比硅大8倍的电压梯度而不会发生雪崩击穿。禁带越宽，在高温下的漏电流就越小，效率也越高。而导热系数越大，电流密度就越高。SiC衬底具有更高的电场强度，因而可以使用更薄的基础结构，其厚度可能仅为硅外延层的十分之一。此外，SiC的掺杂浓度比硅高2倍，因此器件的表面电阻降低了，传导损耗也显著减少。
| 成立日期 | 2017年01月16日 | ||
| 法定代表人 | 陈基生 | ||
| 主营产品 | 碳化硅(SiC)，氮化镓(GaN)，砷化镓(GaAs)，磷化铟(InP)等半导体晶片 | ||
| 经营范围 | 工程和技术研究和试验发展；经营各类商品和技术的进出口（不另附进出口商品目录），但国家限定公司经营或禁止进出口的商品及技术除外；自然科学研究和试验发展；集成电路设计；贸易代理；商务信息咨询；企业管理咨询。 | ||
| 公司简介 | 厦门中芯晶研半导体有限公司是一家集半导体晶体生长、工艺开发和外延为一体的高新技术企业,专门研究和生产化合物半导体晶片;包括磷化铟(InP)晶片、锑化镓(GaSb)晶片、锑化铟(InSb)、氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)半导体材料的生长和外延，产品广泛应用于LED半导体照明和半导体功率器件包括功率器件,高温器件和光电器件。公司拥有强大的技术研发团队,有研究生、博士、硕士组成,团队精进,研发实力雄 ... | ||
