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芯片量产非EUV不可？

在探索造芯的途中，华为不遗余力，也曾另辟蹊径想要探索出一种无需EUV光刻机就能造芯的方案。于是，华为申请了芯片堆叠技术的专利。其设计思路是将两枚芯片采用上下堆叠的方式进行封装，采用面积换性能，能够将14nm芯片性能提升至7nm。

华为在11月还公布了一项与“超导量子芯片”有关的技术专利，该专利简单来说就是降低量子比特之间的串扰，提升计算速度，加强精算精度，避开了光刻机的限制。华为在“量子芯片”领域，已做了多年的布局。据了解，华为在2017年就开始投入研发，并已取得了不少专利技术，比如，今年6月份，华为也公布了专利技术：“一种量子芯片和量子计算机”。

去年，华为还公开一项“光计算芯片、系统及数据处理技术”的发明专利，属于光子芯片技术的一种，光子芯片即采用光数据信号处理数据的芯片。不同于采用硅片为基础材料的传统电子芯片，光子芯片主要是以Inp、GaAS等二代化合物半导体为基础材料，不仅能避开摩尔定律带来的物理极限，其制造门槛也更低，同样无需使用EUV光刻机。

无论是芯片堆叠、量子芯片，还是光子芯片技术的布局，可以看出，华为一直在做着两手准备，一边攻克光刻机制造技术，一边试图研发“去EUV化”的造芯方案。考虑到现实差距，两条路线都将是漫长并充满挑战的。

●荷兰ASML的EUV光刻机生产工艺成熟，技术壁垒高，它的生产是一个庞大的系统工程，其中每一个重要环节和关键步骤都有自己的专利布局。当竞争对手将所能申请的专利挖掘殆尽之后，后来者的发挥空间基本被压缩完毕。即便是有朝一日华为及国内众厂商能全面掌握一系列核心技术，在竞争对手垒起的专利高墙面前，每前或将面临侵权的风险。

●“去EUV化”的造芯方案，看似是一条曲线救国之路，其研发制造难度高、投入和不确定性也较大，产品良率更是个关键问题。例如，就光子芯片而言，它需要相当成熟的设计流程和生产工艺，其工序难点涉及到MOCVD外延生长、光栅工艺、光波导工艺、金属化工艺、端面镀膜、自动化芯片测试、可靠性测试验证等环节。而这些涉及高技术门槛的工艺环节，尚需要更多时间来打磨上下游产业链。目前来看，这些新兴技术领域的技术壁垒还没完全形成，国内也有足够的时间去完善基础领域的供应链。

前途是光明的，道路是曲折的。相信随着国内产业链的技术专利和经验慢慢积累，打破技术封锁，实现自主可控是迟早的事。期待华为海思麒麟芯片“归来”的那。

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