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功率器件热阻分布示意图举个例子来说，大家常用的S8050在25℃（Tc）的耗散功率是0.625W，额定电流为0.5A，结点温度为150℃,此代入公式有：从上面公式可以推算出Rja为200℃/W（Rja表示结点到空气的热阻）。假设芯片壳温（Tc）为55℃，热耗散功率有0.5W时，此刻芯片结点温度为：Tj=Tc+PD*Rjc代入得到155℃，已经超过了结温150℃了。故需要降额使用，降额曲线在数据手册中并未标注，小编只能自行计算。世界半导体工业界预测，这种进步至少仍将持续10到15年。面对现有的晶体管模式及技术已经临近极限，借助芯片设计人员巨大的创造才能，使一个个看似不可逾越的难关化险为夷，硅晶体管继续着小型化的步伐。近期美国科学家的科技成果显示，将10纳米长的图案压印在硅片上的时间为四百万分之一秒，把硅片上晶体管的密度提高了100倍，也大大提高了线生产的速度。这一成果将使电子产品继续微小化，使摩尔定律继续适用。
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