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但近年来，用户在装光伏的同时会配备储能，这已成为一个明显趋势。同时，伴随新能源汽车的爆发，用户更需要把充电、储能和光伏系统做整合，形成当前热度很高的光储充一体化系统。

另外，除了硬件维度的光储充一体系统外，在户用储能市场还会有软件和能源管理维度的突破。“未来，每个家庭安装了光储充一体机后，将形成自发自用的能量微网，特别是在一些电网不顺畅的地区，将完全满足自己家庭的使用，”徐斌说道。

从英飞凌的角度，通过调研产业链多家公司，并融合自身对户储市场的看法，认为以下3点为重要：

   未来的户用光伏系统一定要搭配储能；

第二，   光伏储能系统电池的容量、储能系统的体积大小、重量以及成本等关键要素其实都和能源转换效率相关，因此效率越高，体积、成本等都能得到相应的提升；

第三，   户用的条件限制了储能系统的体积不能太大，因而里面的散热全部都是无风扇散热，即通过自然冷却散热，此时，如何选择半导体元器件保证其温升小，也将是很大的挑战。

图5. 英飞凌通过调研及自身研究总结出未来户用储能系统发展的3大关键点

将这3点总结成一点，英飞凌认为——未来光伏户储系统的效率和功率密度是制约产品竞争力的重要因素。

户用储能系统一站式解决方案？英飞凌都提供！

如何应对如此高功率密度、小温升的挑战呢？英飞凌强烈推荐客户使用SiC MOS。

究其原因，还是得益于第三代半导体SiC的如下4点性能优势：

其一，从现在基于Si的器件转化到基于SiC的系统，能大幅提升效率；

其二，SiC MOS的体积较小，进一步提升了功率密度；

其三，SiC MOS非常灵活，其pin脚或者使用方法都可以跟基于Si的系统做到无缝连接；

其四，它的Scalability非常好，从650V，1200V，1700V都有。

图6. SiC MOS成户用储能系统的佳选择

以传统的NPC1拓扑为例说明，如果用650V的CoolSiC™MOSFET替换传统的IGBT作对比，在70kHz的情况下，效率提升了1.3%。

如果熟悉系统设计的朋友们就会知道，在极限情况下，能效提升0.1%都很困难，但在NPC1的Demo中，在其他系统条件都不变的情况下，只是替换了功率器件，就能达到1.3%的提升——这已是非常大的效率提升，更从侧面印证了SiCMOS是匹配未来户用储能系统需求的产品。

据悉，英飞凌目前已发布第二代碳化硅MOS产品，以650伏、57毫欧的产品为例，其第二代产品比代在Qoss、Eoss、Ciss等性能降低差不多30%，此外，第二代产品还保留了易用性，使得客户可以在0伏时直接对器件进行关断操作。

在论坛现场，英飞凌也带来了3款Demo，例如240W XDPS2222 5~48V USB PD3.1演示版，170WEbike混合反激参考设计以及基于SiC MOS的3.3kWCCM双向图腾柱PFC方案供现场的媒体老师及产业界人士进一步了解。

图7. 英飞凌在2023 EEVIA年度论坛上展示了包含基于SiC MOS在内的多款Demo

此外，作为全球少数几家能同时布局三大类功率半导体（从基于硅的MOS、IGBT到覆盖不同电压等级范围的SiC，再到GaN方案）的公司，英飞凌对这3大类产品从设计、生产到封装已实现内部全流程管理，以此保证将产品的品质做到。

另一方面，系统来看，从户用储能系统的功能框图可知（如下图所示），其中主要的2大部分即为，一、储能介质，即电池包；二、功率转换。其中，功率转换可分为2大部分，一是DC/DC转换，二是DC/AC转换，这跟传统的光伏系统有很大不同，因为能量在其中是双向传输。

图8. 英飞凌一站式解决方案赋能户储市场

英飞凌可以在其中提供一站式解决方案，从英飞凌目前耳熟能详的产品，包括MOS、IGBT、IGBT模块等功率半导体产品，到MCU、安全保护芯片、电流传感器等方案。可以说，在整个户用储能系统中，英飞凌能以一站式解决方案帮助终端客户实现易用的设计。

徐斌说道，“目前户用储能系统看似简单，但其实内部结构很复杂，涉及很多器件，但英飞凌提供的完整解决方案，不仅可以带给客户更快更好的设计体验，更能进一步提升系统的功率密度，从而提升效率。”

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