BN303系列紫外负型光刻胶是一类采用宽谱紫外线曝光的负性光刻胶，主要用于中小规模集成电路、分立器件及其它微型器件的制作。 本产品粘度可以在29－100mPa.s范围内调整，覆盖光刻胶膜厚范围0.85-2.1um. 实用分辨率可达5μm,在多种基片上均有良好的粘附性,抗湿法腐蚀性能良好。
BN301系列紫外负型光刻胶是一类采用宽谱紫外线曝光的负性光刻胶，主要用于半导体分立器件及其它微型器件的制作。 本产品粘度可以在20-60mPa.s范围内调整，覆盖光刻胶膜厚范围2.0-3.0um, 在多种基片上均有良好的粘附性,抗湿法腐蚀性能良好。
BN308系列紫外负型光刻胶是一类采用宽谱紫外线曝光的负性光刻胶，主要用于分立器件及其它微型器件的制作。本产品粘度可以在140－500mPa.s范围内调整，覆盖光刻胶膜厚范围2.2-6um. 实用分辨率可达8μm,在多种基片上均有良好的粘附性,抗湿法腐蚀性能优异。
| C7600 | R:0.30μm,Thickness range:7000A-12000A | 0.3um process |
| C7500 | R:0.4μm,Thickness range:7000A-12000A | 0.4μm process |
| C7510 | R:0.5μm,Thickness range:19000A-36000A | 0.5um process |
| C7310 | R:0.45μm,Thickness:13000A-15000A | 0.5μm process |
| C8315 | R:0.65μm,High heat resistance | 0.65μm process |
| C8325 | R:0.9μm,Thickness:14000A-23000A | 0.9μm process |
| C8350 | R:1.2μm,Thickness:20000A-35000A | Metal/Passivation |
| C5315 | R:0.65μm,Thickness:10000A-17000A | 0.65μm process |
| EP3200A | R:1.0μm,Thickness:20000-35000A | LED positive resist |