厦门回收驱动IC 厦门收购库存电子IC呆料-铭盛电子科技有限公司
SiGe技术已经实现了几乎所有的无线通信单一功能电路，其的应用领域是无线通信手机（特别是3G手机）的射频前端芯片及功率放大器模块，其它应用领域包括无线接入、卫星通信、GPS定位导航、有线通信（千兆以太网、SONET/SDH等）、汽车雷达、智能电子收费系统乃至军事通信。SiGe的崛起将大大改变传统的Si、GaAs的市场分划。预计2005年SiGeRFIC将达19亿美元。利用InP材料也可以制成HBT。IBM公司是SiGe技术的主要开拓者，它为Alcatel、Intersil、Nortel等许多公司提供SiGe芯片制造服务，还与Siemens、RFMicroDevices等公司联合开发SiGe芯片。其主流工艺技术是在8英寸晶圆片上工业化的SiGeBiCMOS5HP工艺。其它拥有SiGeHBT技术的公司有Freescale、Maxim、Lucent、ST、Infineon、Philips等。
SoC（系统芯片）是近几年国际半导体业发展的热点，也是未来半导体业发展方向。随着IC工艺达到并跨越90nm节点，芯片上单个MOS器件的工作频率已经可以上升到微波、毫米波频段，可以将RF前端与数字基带部分集成起来制成RFSoC。这一新概念产品将大大减少整个通信系统中的器件数量，从而降低产品成本，减小其体积并提高功能度，提高可靠性。这一技术的推广有望引起产业链的变革。21世纪Agilent、IBM、STMicroelectronic、Freescale等公司都在研发RF SoC产品，有望于2013年投放市场。 RFSoC的工艺平台可以是CMOS、SiGe等。21世纪时，在试验室中已经可以用CMOS技术实现毫米波电路。如果采用SOI（Sion-Insulator，绝缘体硅）、SoN（Sion-Nothing，悬空硅）等新型衬底技术，则由于这些衬底中带有高电阻的埋氧层，可保证射频损耗小和器件的高速工作，射频部分与基带部分的串扰小，设计者可以将nMOSFET与SiGeHBT通过BiCMOS工艺平台结合起来，利用两种的高速性能，实现低压、低功率的30-80GHz范围内的毫米波芯片。21世纪该技术已经推出了样品。RFSoC在商业上的成功与普通SoC一样，取决于是否能保证很短的转向时间、很低的成本和很好的IP或设计库复用。