光刻胶型号:ma-N 400系列/1400系列
适用光谱厚度范围/um:g/h/i-Line 4-12um 分辨率适用工艺:0.5um 负性光刻胶,可用于传统光刻和liftoff工艺,适用于高温工艺。
光刻胶型号:AZ nLOF 2000系列
适用光谱厚度范围/um:i-line 2-11um 分辨率适用工艺:0.5um liftoff负性光刻胶,耐特高温;可用于RIE工艺。
光刻胶型号:LOR/PGMI
适用光谱厚度范围/um:g/h/i-Line 0.35-7 分辨率适用工艺:0.5um 双层胶工艺。
光刻胶型号:LOL2000
适用光谱厚度范围/um:g/h/i-Line 130nm-300nm 分辨率适用工艺:0.5um双层胶工艺。