负性厚光刻胶
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| 厚负性光刻胶 – 减法或加法处理 | |
| 减材加工和模具抵抗NR5-8000厚度5.8µm - 100.0µm当加工温度 < 120°C 时，NR5 系列光刻胶可在25°C 下剥离。 | 增材加工抵抗NR26-12000PNR26-25000P厚度10.0µm - 20.0µm18.0µm - 200µm耐温性 =100°C。NR26系列光刻胶具有增强的附着力，在 25°C 时易于剥离。 |
减材制造和模具应用
硅的深度蚀刻，例如博世工艺、玻璃和聚合物
硅胶压印压花模具
添加剂应用
高深宽比电镀，用于制造倒装芯片封装、多芯片模块、MEMS、传感器、薄膜磁头的凸块
减材和模具应用的特性
在 RIE 处理和离子铣削中具有出色的耐高温性
深蚀刻中的选择性优于正性光刻胶
对波长短于 380nm 的敏感度
添加剂应用特性
电镀时附着力
电镀后可使用 Futurrex 光刻胶剥离剂轻松去除
对波长短于 380nm 的敏感度
对生产力的影响
无需溶剂型显影和溶剂型冲洗处理步骤
特征
对表面拓扑的出色线宽控制
直侧壁，适合任何薄膜厚度
一次旋涂即可涂出 100 μm 厚的薄膜
厚膜应用中具有出色的分辨率能力
zhuoyue的感光速度，提高曝光量
有利于提高 RIE/离子铣削的功率密度，从而提高蚀刻速率和蚀刻产量
使用同一种显影剂同时显影负性光刻胶和正性光刻胶
无需使用粘合促进剂
