ranspectorMPH 残余气体分析仪
监控您的过程
无与伦比的性能有助于提高产量并实现长运行时间
持续升高的硅晶圆价格和成品需求意味着损坏晶圆的代价比以前更高。在半导体制造中心了解过程并监测缺陷也变得更加重要。Transpector
MPH气体分析系统专门用于让您的系统在所有气体分析应用中都实现业内的性能，有助于大限度地提高芯片产量，降低工具停工时间。TranspectorMPH
兼具较低总体拥有成本和较长故障平均间隔时间的特性，有助于让您的盈亏底线优于市场上的所有其他残余气体分析仪 (RGA)。
INFICON
发挥其在气体分析过程控制设备领域的专长，制造的 RGA 拥有业内的数据采集速度、低可检测分压和小的信噪比。所有这些特性都不会牺牲INFICON
Transpector 气体分析仪一贯出色的可靠性。
功能
模拟扫描和所选峰值的 1.8 ms 高每点数据率
TCP/IP 以太网连接
双丝极
可现场更换电子倍增器
组合阳极、阴极和反射极丝极套件
较短的传感器可降低安装占地面积
九个数量级的动态量程
<2E-15 Torr 的 MDPP（100 amu 型号)
信噪比更高
可调换传感器和电子元件
传感器在洁净室环境中装配、测试并进行双层包装
符合 RoHS 标准
规格
| 类型 | MPH100F | MPH100M | MPH200F | MPH200M | MPH300F | MPH300M | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 传感器长度 | 14.3 cm | 19.3 cm | 14.3 cm | 19.3 cm | 14.3 cm | 19.3 cm | |
| 质量范围 | 100 amu | 100 amu | 200 amu | 200 amu | 300 amu | 300 amu | |
| 检测器类型 | FC | FC/EM | FC | FC/EM | FC | FC/EM | |
| 灵敏度 (FC) | 6E-4 A/Torr | 6E-4 A/Torr | 5E-4 A/Torr | 5E-4 A/Torr | 4E-4 A/Torr | 4E-4 A/Torr | |
| 灵敏度 (EM) | NA | 500 A/Torr | NA | 500 A/Torr | NA | 250 A/Torr | |
| 小可检测分压 | 3E-13 Torr | 2E-15 Torr | 4E-13 Torr | 3E-15 Torr | 5E-13 Torr | 4E-15 Torr | |
| 高传感器工作温度(FC) | 200°C | 200°C | 200°C | 200°C | 200°C | 200°C | |
| 高传感器工作温度(EM) | NA | 150°C | NA | 150°C | NA | 150°C | |
| 丝极类型选件 (1) | Y2O3/Ir | Y2O3/Ir | Y2O3/Ir | Y2O3/Ir | Y2O3/Ir | Y2O3/Ir | |
| 丝极类型选件 (2) | Tungsten | Tungsten | Tungsten | Tungsten | Tungsten | Tungsten | |
| 分辨率（整个质量范围内） | <1 amu wide (3) | <1 amu wide (3) | <1 amu wide (3) | <1 amu wide (3) | <1 amu wide (3) | <1 amu wide (3) | |
| 温度系数 | <1% of peak height/°C | <1% of peak height/°C | <1% of peak height/°C | <1% of peak height/°C | <1% of peak height/°C | <1% of peak height/°C | |
| 高每点数据率 | 1.8 ms | 1.8 ms | 1.8 ms | 1.8 ms | 1.8 ms | 1.8 ms | |
| 零冲击（@ 质量 2） | <5 ppm | <5 ppm | <65 ppm | <65 ppm | <100 ppm | <100 ppm | |
| 大工作压力 | 5E-4 Torr | 5E-4 Torr | 5E-4 Torr | 5E-4 Torr | 5E-4 Torr | 5E-4 Torr | |
| 高烘烤温度 | °C°F | 300 | 300 | 300 | 300 | 300 | 300 |
| 功率输入 | 20-30 VDC | 20-30 VDC | 20-30 VDC | 20-30 VDC | 20-30 VDC | 20-30 VDC | |
(1) 用于普通应用
(2) 用于卤素环境应用
(3) 位于峰值高度的 10%
