品供应：
| 产品 | 型号 | 光源 | 类型 | 分辨率 | 厚度（um) | 适用范围 |
| 厚胶 Thick Resist | SU-8GM10xx系列 | g/h/i-Line | 负性 | 0.1um | 0.1-200 | 具有较大的高宽比，透明度高，垂直度。 |
| SU-8Microchem | g/h/i-Line | 负性 | 0.5um | 0.5-650 | 具有较大的高宽比，透明度高，垂直度。 | |
| SPR220 | g/h/i-Line | 正性 | 1um | 1—30 | 可用于选择性电镀电镀，深硅刻蚀等工艺。 | |
| NR26-25000P | g/h/i-Line | 负性 | 20-130 | 厚度大，相对容易去胶。 | ||
| 电子束光刻胶 | 型号 | 光源 | 类型 | 分辨率 | 厚度（um) | 适用范围 |
| SU-8GM1010 | 电子束 | 负性 | 100nm | 0.1-0.2 | 可用于做高宽比较大的纳米结构。 | |
| HSQ | 电子束 | 负性 | 6nm | 30nm~180nm | 分辨率较好的光刻胶，抗刻蚀。 | |
| XR-1541-002/004/006 | ||||||
| HS/16 | 电子束 | 负性 | 100nm | 350nm~810nm | 分辨率较好的光刻胶，抗刻蚀。 | |
| PMMA(国产) | 电子束 | 正性 | \ | \ | 高分辨率，适用于电子束光刻工艺，较常用的电子束光刻正胶。 | |
| PMMA（） | 电子束 | 正性 | \ | \ | MicroChem，分子量，适用于电子束光刻工艺，较常用的电子束光刻正胶。 | |
| 薄胶 | 型号 | 光源 | 类型 | 分辨率 | 厚度（um) | 适用范围 |
| S18xx系列 | g-Line | 正性 | 0.5um | 0.4-3.5 | 较常用的薄光刻胶，分辨率高，稳定。 | |
| SPR955系列 | i-Line | 正性 | 0.35um | 0.7-1.6 | 高分辨率（0.35um）光刻胶，稳定。 | |
| BCI-3511 | i-Line | 正性 | 0.35um | 0.5-2 | 国产0.35um光刻胶，已经在量产单位规模使用。 | |
| NRD6015 | 248nm | 负性 | 0.2um | 0.7-1.3 | 国产深紫外光刻胶，已经在量产单位规模使用。 | |
| Lift off光刻胶 | 型号 | 光源 | 类型 | 分辨率 | 厚度（μm) | 适用范围 |
| KXN5735-LO | g/h/i-Line | 负性 | 4μm | 2.2-5.2 | 负性光刻胶;倒角65-80°，使用普通正胶显影液显影。 | |
| LOL2000/3000 | g/h/i-Line | / | NA | 130nm-300nm | 非感光性树脂，可以被显影液溶解，作为lift off双层胶工艺中底层胶使用。 | |
| ROL-7133 | g/h/i-Line | / | 4um | 2.8-4 | 负性光刻胶，倒角75~80°，使用普通正胶显影液。 | |
| 光刻胶配套试剂 | 品名 | 主要成分 | 包装 | 应用 | / | / |
| 正胶显影液 | TMAH2.38% | 4LR/PC | 正胶显影液 | / | / | |
| 正胶稀释剂 | PGMEA | 4LR/PC | 稀释剂 | / | / | |
| SU8显影液 | PGMEA | 4L/PC | 显影SU8光刻胶 | / | / | |
| RD-HMDS | HMDS | 500ml/PC | 增粘剂 | / | / | |
| OMNICOAT | 见MSDS | 500ml/PC | SU-8增粘剂 |
