Remover 300去胶液可以应用于传统半
导体、化合物半导体、芯片封装制造制程中
的光刻胶、灰化/刻蚀残渣去除。改产品具
有去胶速度快、 使用寿命长、对金属腐蚀
弱等优点,主要应用于半导体前道、无线设
备、光电子器件、MEMS 和封装等领域。 产品性能特点
高速去胶能力,尤其适合自动清洗线;
对铝、化合物半导体材料腐蚀弱;
去胶后可直接纯水冲洗;
长使用周期(正常条件下 24 hours);
不含氟化物及羟胺;
应用领域
光刻胶去胶及蚀刻残渣去除;
各类硅基、化合物半导体;
各类激光器生产(VESEL);
芯片封装;
适配储存材料
304/316L 不锈钢;
玻璃、石英;
PTFE、PFA、Teflon、Kalrez.etc
PP、PE;
产品技术信息 PRODUCT RANGE
推荐工艺 Recommended process
金属腐蚀速率(A/Min@85℃) 基底腐蚀速率(A/Min@85℃)
Al Ti W GaAs SiO2 TEOS
<0.5 <0.5 0.4 <1 <0.8 <0.9
Bath Lift >24 小时 粘度@25℃ 2.9 cSt 冰点 -30℃
闪点(开杯) 103℃ 溶解度(水) 沸点 165℃
闪点(闭杯) 93℃ 表面张力 41 dyne/cm 密度 1.07 g/ml
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