天手机和平板电脑之类的电子产品在功能方面已大大增多，加上为着消费者便于携带，产品本身需要微型化才合乎市场需求，这种需求揭开了动半导体工业迎战巨大市场挑战的序幕。
科学家共同在有限的空间，一块小小的芯片上构造更多的器件来增加记忆、增加功能；现今单在一块晶圆上就有几十层的器件，而光蚀刻仍是目前普遍可靠的工艺。一连串追求更低分辨率（Resolution）的竞赛开始了，所以对数值孔径（NumericalAperture NA）的要求越来越高；光源波长越来越小；光栅设计人员想尽办法以光学临近修正法（Optical ProximityCorrection）将光蚀刻各环节出现的图像误差，通过修改原设计得以改善终图像的分辨率；转移图像又由单图像改成到双图像（doublepatterning)，甚至4图像（ patterning），纵使以上这些光学（optics）方面的进展我们有目共睹，更大的进展也得与光刻工艺中的化学部分配合，亦即是光刻胶（photoresist）的配合。
长期以来光刻胶经过曝光后来到到化学显影，一直都是比较棘手的一个步骤。
怎样jingque地在指定区域保留或完全溶解掉并洗走，在纳米级情况下更觉困难